[发明专利]一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法

权利要求书

1.一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1) 将电阻率为0.001-50 Ω?cm的n或p型的单晶硅片置于反应釜，填充由质量分数1~40%的HF、0.001~1mol/L的AgNO₃以及质量分数0.1%~10%的H₂O₂组成的腐蚀液，反应釜的溶液体积填充度为40~90%，在温度10~100℃下腐蚀1分钟~2小时，经过上述金属辅助化学腐蚀法处理后即可制备出基底所需的衬底材料多孔硅纳米线阵列；

(2) 将多孔硅纳米线阵列置于0.0001~1mol/L的贵金属盐溶液或质量分数1~40%的HF/0.0001~1mol/L贵金属盐混合溶液中浸渍1秒~1小时后取出自然晾干，或在N₂中吹干，即得到金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底。

2.如权利要求1所述的一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：浸渍过程中使用的贵金属盐为AgNO₃或HAuCl₄。

3.根据权利要求1所述的一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的应用，其特征在于：所述基底用于对未知种类、未知浓度的化学分子或生物分子进行定量检测，利用拉曼信号特征峰的“指纹图谱”特征确定溶液的种类，利用拉曼信号特征峰的强度和已知标准物质溶液浓度之间建立的定量关系曲线来确定待测溶液的浓度。

4.根据权利要求1所述的一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的应用，其特征在于：检测浓度介于10^-2～10^-16 mol/L数量级的化学物质或生命物质，化学物质包括农药、食品添加剂、卤代烃、着色剂，生命物质包括蛋白质、酶、细菌、病毒、核苷。