[发明专利]一种像素结构制造方法

摘要

本发明是有关于一种像素结构制造方法，该方法是先提供一基板，形成一具有一主动区及一储存电容区的半导体层于透光基板上，并于半导体层上形成一源极及一漏极，接着于源极、漏极及半导体层上形成一隔离层，再于隔离层上形成一栅极及一电容电极，栅极及电容电极分别设于与主动区及储存电容区的对应处上，并于栅极、电容电极及隔离层上依序形成一介电层及一屏蔽层，如此已形成一薄膜晶体管，接着于屏蔽层形成一开口图案进行刻蚀，进而形成一接触窗，最后形成一导电层于屏蔽层上，使得漏极通过接触窗与导电层电性连接，如此经上述步骤形成一像素结构，本发明的像素结构可增加其储存电容量，且不会降低开口率，又可防止金属外漏。

主权项

一种像素结构制造方法，其特征是，该像素结构制造方法包含：提供一基板；形成一半导体层于该基板上，其中形成所述的半导体层的步骤包含：沉积一半导体薄膜于所述的基板上；形成一第一光刻胶屏蔽于该半导体薄膜上；利用一第一掩膜对该第一光刻胶屏蔽进行一光刻工艺，形成一已图案化的第一光刻胶屏蔽；通过该已图案化的第一光刻胶屏蔽对所述的半导体薄膜进行一第一离子注入以形成一储存电容区，该储存电容区为一重离子掺杂区；及移除所述的已图案化的第一光刻胶屏蔽，形成所述的半导体层；形成一源极及一漏极于该半导体层上方并与其直接接触，形成所述的源极及所述的漏极的步骤包含：沉积一第一金属层于所述的半导体层上方；沉积一第二光刻胶屏蔽于该第一金属层上；利用一第二掩膜对该第二光刻胶屏蔽进行一光刻工艺，形成一已图案化的第二光刻胶屏蔽；移除未被该已图案化的第二光刻胶屏蔽遮蔽的局部的所述的第一金属层；及移除所述的已图案化的第二光刻胶屏蔽，形成所述的源极及所述的漏极；形成一隔离层覆盖于该源极及漏极；于形成该源极及该漏极的步骤后，同时形成一栅极及一电容电极于该隔离层上；形成一介电层覆盖于该栅极及该电容电极上；形成一屏蔽层覆盖于该介电层上；形成一接触窗于所述的漏极上方以暴露该漏极；及形成一导电层于所述的屏蔽层上并通过所述的接触窗直接与所述的漏极电性连接；其中，形成所述的介电层、所述的屏蔽层及所述的接触窗的步骤包含：连续沉积一介电薄膜及一屏蔽薄膜于所述的栅极、所述的电容电极及所述的隔离层上；及利用一第四掩膜对所述的介电薄膜及所述的屏蔽薄膜进行一光刻刻蚀工艺，形成所述的介电层、所述的屏蔽层及所述的接触窗。