[发明专利]一种像素结构制造方法

权利要求书

1.一种像素结构制造方法，其特征是，该像素结构制造方法包含：

提供一基板；

形成一半导体层于该基板上，其中形成所述的半导体层的步骤包含：

沉积一半导体薄膜于所述的基板上；

形成一第一光刻胶屏蔽于该半导体薄膜上；

利用一第一掩膜对该第一光刻胶屏蔽进行一光刻工艺，形成一已图案化的第一光刻胶屏蔽；

通过该已图案化的第一光刻胶屏蔽对所述的半导体薄膜进行一第一离子注入以形成一储存电容区，该储存电容区为一重离子掺杂区；及

移除所述的已图案化的第一光刻胶屏蔽，形成所述的半导体层；

形成一源极及一漏极于该半导体层上方并与其直接接触，形成所述的源极及所述的漏极的步骤包含：

沉积一第一金属层于所述的半导体层上方；

沉积一第二光刻胶屏蔽于该第一金属层上；

利用一第二掩膜对该第二光刻胶屏蔽进行一光刻工艺，形成一已图案化的第二光刻胶屏蔽；

移除未被该已图案化的第二光刻胶屏蔽遮蔽的局部的所述的第一金属层；及

移除所述的已图案化的第二光刻胶屏蔽，形成所述的源极及所述的漏极；

形成一隔离层覆盖于该源极及漏极；

于形成该源极及该漏极的步骤后，同时形成一栅极及一电容电极于该隔离层上；

形成一介电层覆盖于该栅极及该电容电极上；

形成一屏蔽层覆盖于该介电层上；

形成一接触窗于所述的漏极上方以暴露该漏极；及

形成一导电层于所述的屏蔽层上并通过所述的接触窗直接与所述的漏极电性连接；

其中，形成所述的介电层、所述的屏蔽层及所述的接触窗的步骤包含：

连续沉积一介电薄膜及一屏蔽薄膜于所述的栅极、所述的电容电极及所述的隔离层上；及

利用一第四掩膜对所述的介电薄膜及所述的屏蔽薄膜进行一光刻刻蚀工艺，形成所述的介电层、所述的屏蔽层及所述的接触窗。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该介电层覆盖于该栅极及该电容电极上的步骤中，该介电层完全覆盖于该栅极及该电容电极上。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该隔离层覆盖于该源极及漏极的步骤中，该隔离层完全覆盖于该源极及漏极。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该屏蔽层覆盖于该介电层上的步骤中，该屏蔽层完全覆盖于该介电层上。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一光刻胶屏蔽为一半调掩膜，包含一遮光区及一半穿透区分别对应所述的已图案化的第一光刻胶屏蔽的一第一厚度以及一第二厚度，其中该第一厚度大于该第二厚度。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一离子注入为一p+离子注入是在所述的半导体层上对应区域形成一p+离子区域，其中该p+离子注入浓度介于1E18与1E21atom/cm³之间。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该像素结构制造方法进一步包括进行一活化工艺，活化所述的p+离子区域。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的活化工艺的温度介于摄氏550度与摄氏1000度之间。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述的栅极及所述的电容电极的步骤包含：

沉积一第二金属层于所述的隔离层上；

沉积一第三光刻胶屏蔽于该第二金属层上；

利用一第三掩膜对该第三光刻胶屏蔽进行一光刻工艺，形成一已图案化的第三光刻胶屏蔽；

移除未被该已图案化的第三光刻胶屏蔽遮蔽的局部的所述的第二金属层；及

移除所述的已图案化的第三光刻胶屏蔽，形成所述的栅极及所述的电容电极。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述的栅极及所述的电容电极的步骤后进一步包含以该栅极为一屏蔽，对所述的半导体层进行一p-离子注入是在所述的半导体层上对应区域形成一p-离子区域，其中该P-离子注入浓度介于1E17与1E19atom/cm³之间。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该像素结构制造方法进一步包括进行一活化工艺，活化所述的p-离子区域。