[发明专利]一种新型聚碳硅烷及其制备方法有效
| 申请号： | 201210146206.6 | 申请日： | 2012-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102675649A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 胡继东;陶孟;冯志海;周延春;刘宏瑞;李军平 | 申请（专利权）人： | 航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院 |
| 主分类号： | C08G77/60 | 分类号： | C08G77/60;C04B35/565 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 范晓毅 |
| 地址： | 100076 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型聚碳硅烷及其制备方法，采用格式试剂偶联方法制备聚碳硅烷陶瓷前驱体，分子结构中同时含有Si-H键和C≡C等不饱和基团，在一定的温度下可自身交联固化，固化失重低，工艺性好，通过调节反应物氯硅烷单体的官能度、投料比，以及优化反应条件，可有效调节前驱体中Si/C比及前驱体产物的工艺性能，得到的产物具有优异的耐热性，陶瓷产率高，陶瓷中自由碳含量低，SiC陶瓷相纯度高，适于作为高性能SiC陶瓷前驱体，可用于超高温陶瓷基复合材料浸渍基体，亦可用于SiC陶瓷涂层、纤维等高性能材料的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 硅烷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型聚碳硅烷，其特征在于具有如下结构：![]()
其中：X：炔基、炔丙基或烯丙基；n、m均为正整数，且n≥1，m≥1。
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