[发明专利]缓冲基板、缓冲片及缓冲基板的制造方法无效
| 申请号： | 201210142314.6 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102653144A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李圭远 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | B32B5/00 | 分类号： | B32B5/00;B32B37/06;B32B37/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种缓冲基板，包括：具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一基板，所述第一基板具有一个或多个形成在其中的通孔；第一弹性材料部件，填充所述通孔并且覆盖所述第一基板的所述第二表面；以及第二基板，设置在第一弹性材料部件上，第一弹性材料部件设置在第一基板的第二表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种缓冲基板，包括：第一基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第一基板具有一个或多个形成在其中的通孔；第一弹性材料部件，填充所述通孔并且覆盖所述第一基板的所述第二表面；以及第二基板，设置在所述第一弹性材料部件上，所述第一弹性部件设置在所述第一基板的所述第二表面上。
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