[发明专利]缓冲基板、缓冲片及缓冲基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明的示范性实施例大体上涉及缓冲基板，可以与缓冲基板一起使用的缓冲片，以及缓冲基板的制造方法，更具体涉及用于半导体封装的缓冲基板，可以与缓冲基板一起使用的缓冲片，以及缓冲基板的制造方法。

背景技术

具有多个集成电路的半导体芯片本身不能用作完成的产品，这是因为它会被外部的物理或化学影响破坏。因此，半导体芯片安装并电连接到基板(引线框架或印刷电路板)上，并用例如EMC(环氧模制化合物)封装，使得半导体芯片可被保护免受外部的水分或杂质影响。

图1示出根据现有技术的半导体封装制造工艺的截面图。如图1所示，半导体芯片40通过粘合剂30粘附到封装基板10上，在封装基板10上形成有球焊盘20，并且半导体芯片40通过焊线50电连接到封装基板10上。然后，半导体芯片40通常以环氧模制化合物(EMC)60模制，由此制造半导体封装件。

随着越来越多地使用小尺寸及轻重量的半导体封装件，封装基板的厚度(T)达到约80μm，球焊盘的台阶高度(t)达到约10-15μm，而球焊盘的宽度(W)保持约1,000μm。因此，球焊盘20可能会由于半导体封装模制工艺期间施加的压力而弯曲。这可被称为波动(fluctuation)。当球焊盘20由于波动而从封装基板10突出时，它们可能被刮擦。为了减轻这种现象，可以减小球焊盘20的台阶高度，但是在这种情况下，模制可能受到球焊盘金属的污染。

发明内容

本发明的实施例涉及一种缓冲基板，其可以防止球焊盘的波动以及半导体封装模制期间模制件的污染，还涉及一种与缓冲基板一起使用的缓冲片，以及缓冲基板的制造方法。

在一个实施例中，缓冲基板包括第一基板，具有一个表面和与所述一个表面相对的另一表面，所述第一基板具有一个或多个形成在其中的通孔；第一弹性材料，填充通孔并且覆盖第一基板的所述另一表面；以及第二基板，设置在第一基板的所述另一表面上，第一弹性材料插设在第一基板与第二基板之间。

缓冲基板可以还包括设置在第一基板的所述一个表面上的覆盖膜。

第一弹性材料可以覆盖第一基板的所述一个表面，并且第一弹性材料包含硅橡胶、弹性(Elastomer)体或者热塑性树脂。具体地，第一弹性材料可以是热塑性弹性体，其包括热塑性烯烃弹性体(TPO)、苯乙烯嵌段共聚物(SBC)、热塑性聚氨酯(TPU)、热塑性聚酰胺(TPAE)和热塑性聚酯弹性体(TPEE)中的任意一种或多种。

第一基板可以包含不锈钢(SUS)、环氧树脂、聚酰亚胺树脂和芳纶树脂中的任意一种或多种。

本发明的实施例涉及一种缓冲片，包括柔性膜和设置在柔性膜的一个表面上的第二弹性材料。

在一个实施例中，缓冲基板可以包括缓冲片。具体地，缓冲基板可以还包括，在第一弹性材料的所述一个表面上的缓冲片，该缓冲片包括柔性膜和设置在柔性膜的一个表面上的第二弹性材料。

在另一实施例中，柔性膜可以包含聚酰亚胺树脂，并且第二弹性材料可以包括硅橡胶、弹性体或者热塑性树脂。更具体地，第二弹性材料可以是热塑性弹性体，其包括热塑性烯烃弹性体(TPO)、苯乙烯嵌段共聚物(SBC)、热塑性聚氨酯(TPU)、热塑性聚酰胺(TPAE)和热塑性聚酯弹性体(TPEE)中的任意一种或多种。

本发明的另一实施例涉及一种制造缓冲基板的方法，该方法包括：在第一基板中形成一个或多个通孔，所述第一基板具有一个表面和与其相对的另一表面，使得通孔从所述一个表面延伸至所述另一表面；在第二基板的一个表面上涂敷第一弹性材料；以及朝向第一基板的所述另一表面压缩第一弹性材料，以使第一弹性材料注入通孔中。

在一个实施例中，可以通过热压缩执行本发明的制造方法的第一弹性材料的施加。

在另一实施例中，本发明的制造方法可以还包括，在施加第一弹性材料之后，对第一基板的所述一个表面施加第二弹性材料。

在另一实施例中，第一弹性材料和第二弹性材料可以是相同的材料，并且例如可包括硅橡胶、弹性体或者热塑性树脂中的任意一种或多种。

在另一实施例中，本发明的制造方法可以还包括，在施加第一弹性材料之后，在第一基板的所述一个表面上设置覆盖膜。

附图说明

通过以下结合附图的详细说明将更清晰地理解以上及其他方面、特征以及其他优点，其中：

图1是示出现有技术的半导体封装工艺的截面图；

图2是根据本发明的实施例的缓冲基板的立体图；

图3是图2的A部分的截面图；

图4是根据本发明的实施例的缓冲片的立体图；