[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制备工艺无效
| 申请号： | 201210140701.6 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102709384A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王子港 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的制备工艺，具有以下步骤：（1）对P型晶体硅片进行去损伤和制绒工艺，再依次进行磷扩散、后清洗工艺；（2）在硅片背面沉积5～15nm的Al2O3钝化层；（3）利用旋涂的方式将分散了纳米级球形固体颗粒物的悬浮液涂在硅片背面；（4）在硅片背面沉积一层SiN掩膜层。本发明在Al2O3钝化层背面旋涂增加一层纳米级球形固体颗粒物的反射膜，从而增加电池背反射效果，提高电池的短路电流和电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池的制备工艺，具有以下步骤：（1）对P型晶体硅片进行去损伤和制绒工艺，再依次进行磷扩散、后清洗工艺；其特征在于：（2）在硅片背面沉积5～15nm的Al2O3钝化层；（3）利用旋涂的方式将分散了纳米级球形固体颗粒物的悬浮液涂在硅片背面；（4）在硅片背面沉积一层SiN掩膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司，未经常州天合光能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210140701.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电能表计量印、证一体化方法
- 下一篇：夹层结构件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
