[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制备工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的制备工艺。

背景技术

目前，传统的晶体硅太阳能电池背面一般采用全铝背场或者局部铝背场。其中，全铝背场只能依靠背面的铝背场提高背面的反射率，而局部铝背场的结构是在背面沉积了氧化硅/氮化硅，氧化铝/氮化硅等叠成膜，通过叠成膜可以提高电池的背面反射率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种晶体硅太阳能电池的制备工艺及晶体硅太阳能电池，所制备的太阳能电池能够增加电池背反射效果。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池的制备工艺，具有以下步骤：（1）对P型晶体硅片进行去损伤和制绒工艺，再依次进行磷扩散、后清洗工艺；

（2）在硅片背面沉积5～15nm的Al₂O₃钝化层；

（3）利用旋涂的方式将分散了纳米级球形固体颗粒物的悬浮液涂在硅片背面；

（4）在硅片背面沉积一层SiN掩膜层。

进一步地，所述的固体颗粒物为金属颗粒。

进一步地，所述的金属颗粒为氧化硅颗粒或氧化铝颗粒或铜颗粒。

一种采用上述晶体硅太阳能电池的制备工艺制备的晶体硅太阳能电池，具有P型晶体硅基体，晶体硅基体背面沉积有Al₂O₃钝化层，所述的Al₂O₃钝化层背面具有利用旋涂的方式制备的分散了纳米级球形固体颗粒物的悬浮液旋涂层，所述的悬浮液旋涂层背面沉积有一层SiN掩膜层。

进一步地，所述的固体颗粒物为金属颗粒。

进一步地，所述的金属颗粒为氧化硅颗粒或氧化铝颗粒或铜颗粒。

进一步地，所述的晶体硅基体正面沉积有SiN减反膜。

本发明的有益效果是：本发明在Al₂O₃钝化层背面旋涂增加一层纳米级球形固体颗粒物的反射膜，从而增加电池背反射效果，提高电池的短路电流和电池转换效率。

具体实施方式

一种晶体硅太阳能电池的制备工艺，具有以下步骤：

（1）对P型晶体硅片进行去损伤和制绒工艺，再依次进行磷扩散、后清洗工艺；去损伤、制绒工艺、磷扩散及后清洗工艺均为常规工艺，制绒工艺可以采用酸制绒或碱制绒工艺。磷扩散中扩散方阻为60～80ohm/sq。

（2）在硅片背面沉积5～15nm的Al₂O₃钝化层；

（3）利用旋涂的方式将分散了纳米级球形固体颗粒物的悬浮液涂在硅片背面；

（4）在硅片背面沉积一层SiN掩膜层。

固体颗粒物为金属颗粒。金属颗粒为氧化硅颗粒或氧化铝颗粒或铜颗粒。

一种采用上述晶体硅太阳能电池的制备工艺制备的晶体硅太阳能电池，具有P型晶体硅基体，晶体硅基体背面沉积有Al₂O₃钝化层，Al₂O₃钝化层背面具有利用旋涂的方式制备的分散了纳米级球形固体颗粒物的悬浮液旋涂层，悬浮液旋涂层背面沉积有一层SiN掩膜层。固体颗粒物为金属颗粒。金属颗粒为氧化硅颗粒或氧化铝颗粒或铜颗粒。晶体硅基体正面沉积有SiN减反膜。

本发明在Al₂O₃钝化层背面旋涂增加一层纳米级球形固体颗粒物的反射膜，从而增加电池背反射效果，提高电池的短路电流和电池转换效率。

以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。