[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制备工艺

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池的制备工艺，具有以下步骤：（1）对P型晶体硅片进行去损伤和制绒工艺，再依次进行磷扩散、后清洗工艺；

其特征在于：

（2）在硅片背面沉积5～15nm的Al₂O₃钝化层；

（3）利用旋涂的方式将分散了纳米级球形固体颗粒物的悬浮液涂在硅片背面；

（4）在硅片背面沉积一层SiN掩膜层。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的制备工艺，其特征在于：所述的固体颗粒物为金属颗粒。

3.根据权利要求2所述的一种晶体硅太阳能电池的制备工艺，其特征在于：所述的金属颗粒为氧化硅颗粒或氧化铝颗粒或铜颗粒。

4.一种采用权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的制备工艺制备的晶体硅太阳能电池，其特征在于：具有P型晶体硅基体，晶体硅基体背面沉积有Al₂O₃钝化层，所述的Al₂O₃钝化层背面具有利用旋涂的方式制备的分散了纳米级球形固体颗粒物的悬浮液旋涂层，所述的悬浮液旋涂层背面沉积有一层SiN掩膜层。

5.根据权利要求4所述的一种晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述的固体颗粒物为金属颗粒。

6.根据权利要求5所述的一种晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述的金属颗粒为氧化硅颗粒或氧化铝颗粒或铜颗粒。

7.根据权利要求4所述的一种晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述的晶体硅基体正面沉积有SiN减反膜。