[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210140207.X | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103390556A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;张珂珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成伪栅极堆叠结构，其中伪栅极堆叠结构包含碳基材料；在伪栅极堆叠结构两侧的衬底中形成源漏区；刻蚀去除伪栅极堆叠结构，直至暴露衬底，留下栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。依照本发明的半导体器件制造方法，采用碳基材料替代了硅基材料的伪栅极，在后栅工艺中刻蚀去除伪栅极时无需添加垫氧化层和/或刻蚀阻挡层，在确保器件可靠性之外还简化了工艺、降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成伪栅极堆叠结构，其中伪栅极堆叠结构包含碳基材料；在伪栅极堆叠结构两侧的衬底中形成源漏区；刻蚀去除伪栅极堆叠结构，直至暴露衬底，留下栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
