[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括步骤：

在衬底上形成伪栅极堆叠结构，其中伪栅极堆叠结构包含碳基材料；

在伪栅极堆叠结构两侧的衬底中形成源漏区；

刻蚀去除伪栅极堆叠结构，直至暴露衬底，留下栅极沟槽；

在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。

2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，伪栅极堆叠结构包括伪栅极层和伪栅极盖层，伪栅极层包括碳基材料。

3.如权利要求2的半导体器件制造方法，其中，碳基材料包括非晶碳薄膜、氢化非晶碳薄膜。

4.如权利要求2的半导体器件制造方法，其中，在形成源漏区之后、刻蚀去除伪栅极堆叠结构之前，进一步包括步骤：沉积层间介质层，平坦化层间介质层直至暴露伪栅极盖层，进一步平坦化伪栅极盖层直至暴露伪栅极层。

5.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成源漏区的步骤进一步包括：

在伪栅极堆叠结构两侧的衬底上形成第一栅极侧墙；

以第一栅极侧墙为掩膜，执行第一源漏离子注入，在伪栅极堆叠结构两侧的衬底中形成轻掺杂的源漏延伸区；

在第一栅极侧墙上形成第二栅极侧墙；

以第二栅极侧墙为掩膜，执行第二源漏离子注入，形成重掺杂源漏区。

6.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，在形成源漏区之后、刻蚀去除伪栅极堆叠结构之前，进一步包括步骤：在源漏区上形成金属硅化物。

7.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，采用氧等离子体刻蚀去除伪栅极堆叠结构。

8.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，氧等离子体刻蚀去除伪栅极堆叠结构之后，还采用HF基刻蚀液湿法处理去除残余的氧化膜。

9.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成栅极堆叠结构的步骤进一步包括：在栅极沟槽中沉积栅极绝缘层；在栅极绝缘层上沉积功函数调节金属层；在功函数调节金属层上沉积电阻调节金属层。

10.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成栅极堆叠结构之后，进一步包括步骤：形成层间介质层、接触刻蚀停止层；刻蚀层间介质层、接触刻蚀停止层形成源漏接触孔；在源漏接触孔中填充形成源漏接触塞；形成与源漏接触塞连接的引线。