[发明专利]一种多晶硅二极管静电保护结构有效
| 申请号： | 201210133332.8 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103378088A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王邦麟;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种多晶硅二极管静电保护结构，包括：一N+/P阱二极管和一多晶硅二极管；所述多晶硅二极管包括，P-多晶硅衬底中形成有多个不相邻的N+扩散区，P-多晶硅衬底的两侧形成有P+扩散区；所述N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电位；所述多晶硅二极管其一侧P+扩散区通过金属线接所述N+/P阱二极管的N+扩散区，其另一侧P+扩散区通过金属线接输入/出端口，其N+扩散区通过金属线并联后接到电源电位。本发明的多晶硅二极管的静电保护结构，在不影响静电保护能力的条件下，相比较现有的二极管静电保护结构，能减小输出/入端口到电源与地之间的总电容，减小静电保护结构对高射频电路工作性能的影响，适应射频电路的设计需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 二极管 静电 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种多晶硅二极管静电保护结构，其特征是，包括：一N+/P阱二极管和一多晶硅二极管；所述多晶硅二极管包括，P‑多晶硅衬底中形成有多个不相邻的N+扩散区，P‑多晶硅衬底的两侧形成有P+扩散区；所述N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电位；所述多晶硅二极管其一侧P+扩散区通过金属线接所述N+/P阱二极管的N+扩散区，其另一侧P+扩散区通过金属线接输入/出端口，其N+扩散区通过金属线并联后接到电源电位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210133332.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：汽车空调冷凝器密封结构
- 下一篇：用于后置公交客车的横向稳定杆固定机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
