[发明专利]一种多晶硅二极管静电保护结构有效
| 申请号： | 201210133332.8 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103378088A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王邦麟;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 二极管 静电 保护 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅二极管静电保护结构，其特征是，包括：一N+/P阱二极管和一多晶硅二极管；
所述多晶硅二极管包括，P-多晶硅衬底中形成有多个不相邻的N+扩散区，P-多晶硅衬底的两侧形成有P+扩散区；
所述N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电位；所述多晶硅二极管其一侧P+扩散区通过金属线接所述N+/P阱二极管的N+扩散区，其另一侧P+扩散区通过金属线接输入/出端口，其N+扩散区通过金属线并联后接到电源电位。
2.一种多晶硅二极管静电保护结构，其特征是，包括：一P+/N阱二极管和一多晶硅二极管；
所述多晶硅二极管包括，N-多晶硅衬底中形成有多个不相邻的P+扩散区，N-多晶硅衬底的两侧形成有N+扩散；
所述P+/N阱二极管其N阱通过N+扩散区连接电源电位；所述多晶硅二极管其一侧N+扩散区通过金属线接所述P+/N阱二极管的P+扩散区，其另一侧N+扩散区通过金属线接输入/出端口，其P+扩散区通过金属线并联后接到地电位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
