[发明专利]应力记忆技术中形成应力层的方法有效
| 申请号： | 201210122398.7 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103378006A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应力记忆技术中形成应力层的方法，通过将栅极侧壁制作成垂直于半导体基底的方向上成水平宽度由小到大的锥形侧壁，在不影响后续离子注入工艺的同时，避免了相邻两PMOS和NMOS栅极结构间由于栅极结构顶端间距过小导致两栅极结构间的应力层出现空洞，进而影响器件性能的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 记忆 技术 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种应力记忆技术中形成应力层的方法，包括：提供具有PMOS和NMOS区域的半导体基底；分别在所述PMOS区域和NMOS区域上形成PMOS栅极和NMOS栅极；在所述半导体基底及所述PMOS栅极和NMOS栅极表面形成第一半导体层，且所述第一半导体层在各所述栅极两侧形成凹槽；在所述凹槽内形成阻挡层，所述阻挡层表面低于所述PMOS和NMOS栅极顶面高度；在垂直于所述半导体基底方向上对所述第一半导体层进行碳离子注入；对所述第一半导体层进行倾斜氧离子注入并退火；利用DHF溶液湿法刻蚀去除部分第一半导体层；去除所述阻挡层；利用干法刻蚀去除所述半导体基底表面和所述PMOS和NMOS栅极顶端的剩余第一半导体层，并以所述PMOS和NMOS栅极侧面剩余的第一半导体层为PMOS和NMOS栅极侧壁层；在所述半导体基底及所述PMOS栅极和NMOS栅极表面形成应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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