[发明专利]用于形成薄膜的沉积设备无效
申请号: | 201210120348.5 | 申请日: | 2012-04-13 |
公开(公告)号: | CN102732842A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 赵晃新;宋基哲;郑胜哲;安祐正 | 申请(专利权)人: | 韩商SNU精密股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/54 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明揭示了一种用于形成薄膜的沉积设备,所述设备包括:源容器,待沉积于衬底上的源材料以固态或液态容纳于所述源容器中;蒸发室,所述蒸发室在所述源容器上方耦接所述源容器并与所述源容器相通,且从所述源容器蒸发的源材料穿过所述蒸发室;喷孔,所述喷孔形成于所述蒸发室的顶部上且向上喷射穿过所述蒸发室的所述蒸发源材料;第一加热器,所述第一加热器提供于所述蒸发室或所述源容器内部的所述源材料上方且向所述源材料供应热量以蒸发容纳于所述源容器中的所述源材料;以及阻挡板,所述阻挡板提供于所述蒸发室内部的所述第一加热器上方,且在所述第一加热器向所述源材料供应热量时防止容纳于所述源容器中的所述源材料或外来杂质飞溅和附着到所述喷孔。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 薄膜 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种用于形成薄膜的沉积设备,所述设备包括:源容器,待沉积于衬底上的源材料以固态或液态容纳在所述源容器中;蒸发室,所述蒸发室在所述源容器上方耦接所述源容器并与所述源容器相通,且来自所述源容器的蒸发源材料穿过所述蒸发室;喷孔,所述喷孔形成于所述蒸发室的顶部上且向上喷射穿过所述蒸发室的所述蒸发源材料;第一加热器,所述第一加热器提供于所述蒸发室或所述源容器内部的所述源材料上方且向所述源材料供应热量以蒸发容纳于所述源容器中的所述源材料;以及阻挡板,所述阻挡板提供于所述蒸发室内部的所述第一加热器上方且在所述第一加热器向所述源材料供应热量时防止容纳于所述源容器中的所述源材料或外来杂质飞溅和附着到所述喷孔。
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