[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210110603.8 | 申请日： | 2005-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102637740A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 三浦峰生 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置。其中，该半导体装置具备：碳化硅半导体外延层，其被层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；杂质区域，其通过在该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成，并具有其表面附近的第2导电型杂质浓度相对地小、深部的第2导电型杂质浓度相对地大的分布方案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置，该半导体装置的特征在于，包括：碳化硅半导体外延层，其层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；和第2导电型杂质区域，其是通过1级离子注入向该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成的，该第2导电型杂质区域具有如下的分布：其表面附近的第2导电型杂质浓度相对小，且深部的第2导电型杂质浓度相对高，与所述碳化硅半导体外延层的边界部、即最深部附近的第2导电型杂质浓度是1018/cm3以上的高浓度，以该最深部附近作为峰值，从该最深部附近到深部侧浓度变化急剧的一方面，从该最深部附近越接近表面则第2导电型杂质浓度越连续且缓慢地下降，表面附近的第2导电型杂质浓度在5×1015/cm3以下。
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