[发明专利]一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置及其制备方法无效
| 申请号： | 201210106649.2 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103367462A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置，通过沟槽结构，可以实现较深的条状P型半导体硅材料，当器件接反向偏压时，条状的P型半导体硅材料和N型半导体硅材料形成电荷互补，形成超结结构，改变漂移区的电场强度分布，形成平坦的电场强度分布曲线；本发明还提供一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 绝缘 隔离 结构 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置，其特征在于：包括：多个沟槽，位于半导体材料表面；绝缘介质，位于沟槽内；第一导电半导体材料，临靠沟槽侧壁，位于沟槽之间半导体材料的边缘区域；第二导电半导体材料，临靠第一半导体材料，位于沟槽之间半导体材料的中心区域；肖特基势垒结，位于沟槽之间半导体材料表面。
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