[发明专利]一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置，其特征在于：包括：

多个沟槽，位于半导体材料表面；

绝缘介质，位于沟槽内；

第一导电半导体材料，临靠沟槽侧壁，位于沟槽之间半导体材料的边缘区域；

第二导电半导体材料，临靠第一半导体材料，位于沟槽之间半导体材料的中心区域；

肖特基势垒结，位于沟槽之间半导体材料表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽底部附近的半导体材料也可以为第一导电半导体材料。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第一导电半导体材料可以为N导电半导体材料，第二导电半导体材料可以为P导电半导体材料，或者第一导电半导体材料可以为P导电半导体材料，第二导电半导体材料可以为N导电半导体材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结可以位于第一导电半导体材料表面，第二导电半导体材料表面为欧姆接触区。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结位于第二导电半导体材料表面，第一导电半导体材料表面为欧姆接触区。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结可以位于第一导电半导体材料和第二导电半导体材料表面。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体装置底部半导体材料可以为第一导电半导体材料。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体装置底部半导体材料可以为第二导电半导体材料。

9.如权利要求1所述的一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在半导体材料衬底上的半导体材料漂移层的表面形成一种绝缘介质；

2)进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；

3)对沟槽侧壁注入导电类型杂质，然后进行退火；

4)在沟槽内形成绝缘介质，腐蚀去除表面绝缘介质；

5)在半导体材料表面淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。

10.如权利要求1所述的一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在半导体材料衬底上的半导体材料漂移层的表面形成一种绝缘介质；

2)进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；

3)在沟槽内壁淀积第一导电半导体材料；

4)在沟槽内形成绝缘介质，腐蚀去除表面绝缘介质；

5)在半导体材料表面淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。