[发明专利]一种氮掺杂二氧化锡薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210103874.0 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102644055A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 方峰;蒋建清;张旭海;丁啸雄 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮掺杂二氧化锡薄膜的制备方法，以磁控溅射法制备二氧化锡薄膜，磁控溅射时，按体积比O2∶N2＝(1～6)∶(99～94)的比例通入O2和N2的混合气体，控制溅射室内气压≤5Pa。本发明采用反应磁控溅射法制备出氮掺杂SnO2薄膜，制取工艺简单易控制，是目前工业化生产薄膜的基本工艺方法；氮元素来源广泛，成本低，反应产物无毒，对环境无污染；通过对工艺参数的控制，获得的透明导电薄膜，电阻率低于2.4×10-3Ω·cm、可见光透射率大于80％，达到了商用透明导电薄膜的性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮掺杂二氧化锡薄膜的制备方法，以磁控溅射法制备二氧化锡薄膜，其特征在于，磁控溅射时，按体积比O2∶N2＝(1～6)∶(99～94)的比例通入O2和N2的混合气体，控制溅射室内气压≤5Pa。
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