[发明专利]一种氮掺杂二氧化锡薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氮掺杂二氧化锡薄膜的制备方法，以磁控溅射法制备二氧化锡薄膜，其特征在于，磁控溅射时，按体积比O₂∶N₂＝(1～6)∶(99～94)的比例通入O₂和N₂的混合气体，控制溅射室内气压≤5Pa。

2.如权利要求1所述的氮掺杂二氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，入射功率为100～200W，溅射气压1～2.5 Pa。

3.如权利要求1所述的氮掺杂二氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，溅射速率为8～15nm/min，时间为10～30min。

4.如权利要求1所述的氮掺杂二氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，磁控溅射时先以O₂和N₂混合气体对衬底进行5～30min的预溅射，并调节衬底加热温度100～400℃，然后再在衬底上沉积氮掺杂二氧化锡薄膜，厚度为100～300nm。

5.如权利要求4所述的氮掺杂二氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，得到氮掺杂二氧化锡薄膜后进行退火，退火温度为300～700℃，退火时间为20～60min，最后得到透明导电的氮掺杂二氧化锡薄膜。