[发明专利]多栅极场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210101625.8 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367432A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多栅极场效应晶体管及制造方法，多栅极场效应晶体管中鳍状结构包括硅锗层和硅层，所述硅锗层上部分小于下部分，所述硅锗层能够形成较佳的应力作用，从而提高鳍状结构中沟道迁移率等性能。所述多栅极场效应晶体管的制造方法通过在利用两次外延生长法的选择性生长的特性和氮化硅层的遮挡，形成的鳍状结构的尺寸易于控制，且形成的界面良好，同时形成工艺简单，易于控制工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多栅极场效应晶体管，包括：半导体衬底；鳍状结构，位于所述半导体衬底上；栅极，跨设于所述鳍状结构的中部的上表面和侧壁上；其特征在于，所述鳍状结构包括硅锗层和硅层，所述硅锗层上部分小于下部分，所述硅层围绕于所述硅锗层的上部分。
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