[发明专利]多栅极场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种多栅极场效应晶体管，包括：

半导体衬底；

鳍状结构，位于所述半导体衬底上；

栅极，跨设于所述鳍状结构的中部的上表面和侧壁上；

其特征在于，所述鳍状结构包括硅锗层和硅层，所述硅锗层上部分小于下部分，所述硅层围绕于所述硅锗层的上部分。

2.如权利要求1所述的多栅极场效应晶体管，其特征在于，所述鳍状结构还包括氮化硅层，所述氮化硅层设置于所述硅锗层和硅层上。

3.如权利要求1所述的多栅极场效应晶体管，其特征在于，所述鳍状结构的厚度大于50埃。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的多栅极场效应晶体管，其特征在于，所述多栅极场效应晶体管还包括隔离层，所述隔离层位于所述鳍状结构以外的半导体衬底上。

5.如权利要求4所述的多栅极场效应晶体管，其特征在于，所述隔离层为二氧化硅，所述隔离层的厚度为50nm～500nm。

6.一种多栅极场效应晶体管的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在半导体衬底上形成隔离层，并在隔离层中形成沟槽；

利用外延生长法形成硅锗层，以填充所述沟槽；

利用化学机械研磨工艺去除所述沟槽以外的硅锗层，回刻蚀所述沟槽内的部分硅锗层；

在所述沟槽中的硅锗层上形成氮化硅层；

刻蚀去除部分所述隔离层，以暴露所述氮化硅层和部分硅锗层；

进行氧化工艺，以氧化部分硅锗层；

刻蚀去除被氧化的硅锗层，剩余的硅锗层的上部分小于下部分；

利用外延生长法在剩余的硅锗层周围生长硅层；

刻蚀部分硅层，保留位于氮化硅层正下方的硅层，以形成鳍状结构。

7.如权利要求6所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在刻蚀去除部分硅层的步骤之后，还包括：在所述半导体衬底上形成跨设于所述鳍状结构的中部的上表面和侧壁上的栅极。

8.如权利要求6所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在刻蚀去除部分硅层和形成栅极的步骤之间，还包括：去除所述氮化硅层。

9.如权利要求6所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述鳍状结构的厚度大于50埃。

10.如权利要求6所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述隔离层为二氧化硅，所述隔离层的厚度为50nm～500nm。

11.如权利要求6所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述硅锗层形成的反应温度为500℃～800℃，反应物包括硅烷和锗烷，所述硅烷的流量范围为5sccm～20sccm，所述锗烷的流量范围为1sccm～5sccm。