[发明专利]一种阵列基板及制造方法有效
| 申请号： | 201210093643.6 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102645806A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 何宗泽 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板及制作该基板的方法，将提供Gamma电压的电阻集成于阵列基板中，节约PCB板中原本为电阻留出的面积；又由于本阵列基板仅采用电阻即可提供Gamma电压，与采用Power IC相比，缩减了成本，且本发明提供的阵列基板功耗比较低。本发明提供的阵列基板包括：位于栅极绝缘层和钝化层之间的电阻，以及在钝化层覆盖电阻的区域上有至少一个通孔；其中，所述电阻与阵列基板中的有源层、源漏极层不连接。本发明提供的阵列基板制作方法包括：在栅极绝缘层上形成电阻，其中，所述电阻与阵列基板中的有源层、源漏极层分隔不连接；在电阻上形成钝化层，并通过刻蚀在钝化层覆盖电阻的区域上，形成至少一个通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：位于栅极绝缘层和钝化层之间的电阻，以及在钝化层覆盖电阻的区域上有至少一个通孔；其中，所述电阻与阵列基板中的有源层、源漏极层分离设置。
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