[发明专利]一种阵列基板及制造方法有效
| 申请号： | 201210093643.6 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102645806A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 何宗泽 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
位于栅极绝缘层和钝化层之间的电阻，以及在钝化层覆盖电阻的区域上有至少一个通孔；
其中，所述电阻与阵列基板中的有源层、源漏极层分离设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电阻为长条形。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔在电阻的长度方向上均匀分布。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电阻的材料为非晶硅。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔中有金属层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔中还有N型非晶硅层，所述N型非晶硅层位于所述金属层与电阻之间。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层的材料为钼、铝、钕、钛、铬、钽或铜中的一种金属或几种构成的合金。
8.一种显示设备，其特征在于，该显示设备包括上述权利要求1～7所述的任意一种阵列基板。
9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在栅极绝缘层上形成电阻，其中，所述电阻与阵列基板中的有源层、源漏极层分离设置；
在电阻上形成钝化层，并在钝化层覆盖电阻的区域上，形成至少一个通孔。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在栅极绝缘层上形成电阻后，该方法进一步包括：
在所述电阻上，且需要形成通孔的位置形成金属层。
11.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在栅极绝缘层上形成电阻后，该方法进一步包括：
在所述电阻上，且需要形成通孔的位置形成N型非晶硅层和金属层，所述N型非晶硅层位于所述金属层与电阻之间。
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