[发明专利]具有穿硅通孔与测试电路的半导体结构与其制作方法有效
| 申请号： | 201210092744.1 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367281A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，具有一穿硅通孔以及测试修补电路。其中，穿硅通孔设置于基底中并贯穿基底的有源面以及背面。测试修补电路设置于基底的背面上，与穿硅通孔电性连接，借以提供测试修补功能。根据本发明的另外一个实施方式，本发明另外提供了一种形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿硅通孔 测试 电路 半导体 结构 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，具有有源面以及背面；穿硅通孔设置于基底中，并贯穿所述基底的所述有源面以及所述背面；以及测试修补电路设置于所述基底的所述背面上，并与所述穿硅通孔电性连接。
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