[发明专利]具有穿硅通孔与测试电路的半导体结构与其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，具有有源面以及背面；

穿硅通孔设置于基底中，并贯穿所述基底的所述有源面以及所述背面；以及

测试修补电路设置于所述基底的所述背面上，并与所述穿硅通孔电性连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含半导体元件以及金属内连线系统设置于所述基底的所述有源面上。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述测试修补电路仅设置在所述基底的所述背面上。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述测试修补电路包括接触垫或熔丝。

5.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：

提供基底，其具有有源面以及背面；

在所述基底中形成穿硅通孔，其贯穿所述基底的所述有源面以及所述背面；以及

在所述基底的所述背面上形成测试修补电路，其中所述测试修补電路與所述穿矽通孔電性連接。

6.根据权利要求5形成半导体结构的方法，其特征在于所述测试修补电路包含接触垫或熔丝。

7.根据权利要求5形成半导体结构的方法，其特征在于，形成所述穿硅通孔的步骤包含：

于所述基底的所述有源面的一侧形成一开孔；

在所述开孔的表面形成绝缘层以及导电层，以填满所述开孔；以及

从所述基底的所述背面进行薄化工艺，以暴露出所述导电层。

8.根据权利要求7形成半导体结构的方法，其特征在于进行薄化工艺之前，还在所述基底的所述有源面上形成半导体元件或金属内连线系统。

9.根据权利要求8形成半导体结构的方法，其特征在于：对所述测试修补电路进行测试步骤，通过所述穿硅通孔以对所述半导体元件进行测试。

10.根据权利要求8形成半导体结构的方法，其特征在于所述半导体元件包含金氧半导体晶体管。