[发明专利]具有超级结的功率晶体管组件的制作方法

摘要

本发明公开了一种功率晶体管组件的制作方法。首先，提供具有一第一导电类型的一半导体基底，并在半导体基底中形成至少一沟槽。接着，在沟槽中填入一掺杂物来源层，并进行一第一热趋入工艺，在半导体基底中分别形成具有一第二导电类型的两个扩散掺杂区，其中各扩散掺杂区邻近沟槽的掺杂浓度不同于各扩散掺杂区远离沟槽的掺杂浓度。然后，移除掺杂物来源层，并进行一斜角度离子植入工艺与一第二热趋入工艺，以调整邻近沟槽的各扩散掺杂区的掺杂浓度。

主权项

一种具有超级结的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底，具有一第一导电类型；在所述半导体基底中形成至少一沟槽；在所述沟槽中填入一掺杂物来源层，其中所述掺杂物来源层包括多个掺杂物，且所述掺杂物具有不同于所述第一导电类型的ㄧ第二导电类型；进行一第一热趋入工艺，将所述掺杂物扩散到所述半导体基底中，以在所述沟槽两侧的所述半导体基底中分别形成两个扩散掺杂区，其中各所述扩散掺杂区邻近所述沟槽的侧壁的掺杂浓度不同于各所述扩散掺杂区远离所述沟槽的侧壁的掺杂浓度；移除所述掺杂物来源层；以及进行一斜角度离子植入工艺与一第二热趋入工艺，以调整邻近所述沟槽的侧壁的各所述扩散掺杂区的掺杂浓度。