[发明专利]具有超级结的功率晶体管组件的制作方法

权利要求书

1.一种具有超级结的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底，具有一第一导电类型；

在所述半导体基底中形成至少一沟槽；

在所述沟槽中填入一掺杂物来源层，其中所述掺杂物来源层包括多个掺杂物，且所述掺杂物具有不同于所述第一导电类型的ㄧ第二导电类型；

进行一第一热趋入工艺，将所述掺杂物扩散到所述半导体基底中，以在所述沟槽两侧的所述半导体基底中分别形成两个扩散掺杂区，其中各所述扩散掺杂区邻近所述沟槽的侧壁的掺杂浓度不同于各所述扩散掺杂区远离所述沟槽的侧壁的掺杂浓度；

移除所述掺杂物来源层；以及

进行一斜角度离子植入工艺与一第二热趋入工艺，以调整邻近所述沟槽的侧壁的各所述扩散掺杂区的掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的具有超级结的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，各所述扩散掺杂区邻近所述沟槽的侧壁的掺杂浓度大于各所述扩散掺杂区远离所述沟槽的侧壁的掺杂浓度，且所述斜角度离子植入工艺在邻近所述沟槽的侧壁的各所述扩散掺杂区中植入多个具有所述第一导电类型的掺杂物。

3.如权利要求1所述的具有超级结的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，各所述扩散掺杂区邻近所述沟槽的侧壁的掺杂浓度小于各所述扩散掺杂区远离所述沟槽的侧壁的掺杂浓度，且所述斜角度离子植入工艺在邻近所述沟槽的侧壁的各所述扩散掺杂区中植入多个具有所述第二导电类型的离子。

4.如权利要求1所述的具有超级结的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，所述第二导电类型为P型，且形成所述掺杂物来源层的材料包括硼硅玻璃。

5.如权利要求1所述的具有超级结的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，所述第二导电类型为N型，且形成所述掺杂物来源层的材料包括砷硅玻璃或磷硅玻璃。

6.如权利要求1所述的具有超级结的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，在所述斜角度离子植入工艺与所述第二热趋入工艺之后，所述制作方法另包括：

在所述沟槽中形成一绝缘层；

在所述沟槽的至少一所述侧的所述半导体基底上形成一栅极结构；

在所述栅极结构的两侧的所述半导体基底中分别形成两个基体掺杂区，且各所述基体掺杂区分别与各所述扩散掺杂区相接触，其中所述基体掺杂区具有所述第二导电类型；以及

在各所述基体掺杂区中分别形成一源极掺杂区。

7.一种具有超级结的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底，具有一第一导电类型；

在所述半导体基底中形成至少一沟槽；

在所述沟槽中填入一第一掺杂物来源层，其中所述第一掺杂物来源层包括多个第一掺杂物，且所述第一掺杂物具有不同于所述第一导电类型的ㄧ第二导电类型；

进行一第一热趋入工艺，将所述第一掺杂物扩散到所述半导体基底中，以在所述沟槽两侧的所述半导体基底中分别形成两个扩散掺杂区，其中各所述扩散掺杂区邻近所述沟槽的侧壁的掺杂浓度不同于各所述扩散掺杂区远离所述沟槽的侧壁的掺杂浓度；

移除所述第一掺杂物来源层；

在所述沟槽中填入一掺杂浓度调整层，并进行一第二热趋入工艺，以调整邻近所述沟槽的侧壁的各所述扩散掺杂区之掺杂浓度；以及

移除所述掺杂浓度调整层。

8.如权利要求7所述的具有超级结的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，所述掺杂浓度调整层是由一第二掺杂物来源层所构成，且所述第二掺杂物来源层包括多个具有所述第一导电类型的第二掺杂物。

9.如权利要求8所述的具有超级结的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，形成所述第一掺杂物来源层的材料包括硼硅玻璃，且形成所述第二掺杂物来源层的材料包括砷硅玻璃或磷硅玻璃。

10.如权利要求8所述的具有超级结之功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，形成所述第一掺杂物来源层的材料包括砷硅玻璃或磷硅玻璃，且形成所述第二掺杂物来源层的材料包括硼硅玻璃。

11.如权利要求7所述的具有超级结的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，所述掺杂浓度调整层是由一第二掺杂物来源层所构成，且所述第二掺杂物来源层包括多个具有所述第二导电类型的第二掺杂物。