[发明专利]一种发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210088308.7 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367559A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;张楠 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法，通过在包括N-GaN层、量子阱层及的P-GaN层的发光外延结构上制作一层具有按预设图形排列的孔洞，并且与所述P-GaN层形成非欧姆接触的图形导电薄膜，然后在所述图形导电薄膜上制作透明导电层，使所述透明导电层通过所述孔洞与所述P-GaN层形成欧姆接触，然后制备电极等后续工艺以完成所述发光二极管的制造。由于所述图形导电薄膜与所述P-GaN层形成非欧姆接触，只作为电流的扩展层，使电流密度在LED芯片内均匀流过，可以提高LED的发光效率，并有效抑制LED的衰退现象。本发明制造工艺步骤简单，效果显著，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，至少包括步骤：1)提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成至少包括N‑GaN层、量子阱层及P‑GaN层的发光外延结构；2)在所述P‑GaN层上制作具有按预设图形排列的孔洞的图形导电薄膜，且使所述图形导电薄膜与所述P‑GaN层形成非欧姆接触；3)在所述图形导电薄膜及孔洞上制作透明导电层，并使所述透明导电层通过所述孔洞与所述P‑GaN层形成欧姆接触；4)制作P电极及N电极以完成所述发光二极管的制造。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海蓝光科技有限公司，未经上海蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210088308.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：扑克牌及其识别装置
- 下一篇：一种用于排球扣球技术训练的四自由度机械手
