[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，至少包括步骤：

1)提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成至少包括N-GaN层、量子阱层及P-GaN层的发光外延结构；

2)在所述P-GaN层上制作具有按预设图形排列的孔洞的图形导电薄膜，且使所述图形导电薄膜与所述P-GaN层形成非欧姆接触；

3)在所述图形导电薄膜及孔洞上制作透明导电层，并使所述透明导电层通过所述孔洞与所述P-GaN层形成欧姆接触；

4)制作P电极及N电极以完成所述发光二极管的制造。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述图形导电薄膜的材料为N-GaN、u-GaN、或绝缘材料与透明导电材料所形成的复合材料。

3.根据权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述绝缘材料为SiO₂或Si₃N₄，所述透明导电材料为ITO、ATO、FTO或AZO。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述图形导电薄膜可透过波长范围为400～600nm的可见光。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述预设图形排列的孔洞为按矩形阵列排列的孔洞。

6.根据权利要求1～4任意一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述预设图形排列的孔洞为具有多排纵向排列的孔洞，且相邻的两排孔洞位错排列。

7.根据权利要求1～4任意一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述孔洞的形状为圆形、椭圆形、矩形、多边形或圆角多边形。

8.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤2)中，先在所述P-GaN层上沉积一层导电薄膜，然后制备光刻图形并对所述导电薄膜进行刻蚀，以形成所述图形导电薄膜。

9.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤4)中，刻蚀所述透明导电层、图形导电薄膜、P-GaN层及量子阱层以获得一裸露的N-GaN平台，然后在所述N-GaN平台上制备N电极，然后在所述透明导电层上制备P电极。

10.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为蓝宝石衬底或蓝宝石图形衬底。

11.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：

发光外延结构，包括N-GaN层、结合于所述N-GaN层的量子阱层及结合于所述量子阱层的P-GaN层，其中，所述N-GaN层与P-GaN层呈台阶结构，所述N-GaN层上具有N电极；

图形导电薄膜，结合于所述P-GaN层且具有按预设图形排列的孔洞，其中，所述图形导电薄膜与所述P-GaN层形成非欧姆接触；

透明导电层，结合于所述图形导电薄膜及所述孔洞，且通过所述孔洞与所述P-GaN层形成欧姆接触，其中，所述透明导电层上具有P电极。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述图形导电薄膜的材料为N-GaN、u-GaN或绝缘材料与透明导电材料所形成的复合材料。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘材料为SiO₂或Si₃N₄，所述透明导电材料为ITO、ATO、FTO或AZO。

14.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述图形导电薄膜可透过波长范围为400～600nm的可见光。

15.根据权利要求11～14任意一项所述的发光二极管，其特征在于：所述预设图形排列的孔洞为按矩形阵列排列的孔洞。

16.根据权利要求11～14任意一项所述的发光二极管，其特征在于：所述预设图形排列的孔洞为具有多排纵向排列的孔洞，且相邻的两排孔洞位错排列。

17.根据权利要求11～14任意一项所述的发光二极管，其特征在于：所述孔洞的形状为圆形、椭圆形、矩形、多边形或圆角多边形。