[发明专利]半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器无效
| 申请号： | 201210087451.4 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102731089A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 石井辰也;增田健一郎;日高重和;夏井秀定;塚田岳夫 | 申请（专利权）人： | ＴＤＫ株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 庞立志;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器，更具体地，涉及BaTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用其的层叠型半导体陶瓷电容器。其目的在于提供通过提高半导体陶瓷部分的绝缘性，从而可兼具作为半导体陶瓷的高介电特性和高绝缘电阻的层叠型半导体陶瓷电容器。本发明所述的BaTiO3系半导体陶瓷，其特征在于，其由BaA(Ti1-α-βGaαNbβ)BO3所示，A/B摩尔比在0.900以上且1.060以下的范围，α/β摩尔比在0.92以上且100以下的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 层叠 电容器 | ||
【主权项】：
BaTiO3系半导体陶瓷，其是在BaTiO3中Ga与Nb同时置换Ti位点而得的。
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