[发明专利]半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器无效
| 申请号： | 201210087451.4 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102731089A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 石井辰也;增田健一郎;日高重和;夏井秀定;塚田岳夫 | 申请（专利权）人： | ＴＤＫ株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 庞立志;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 层叠 电容器 | ||
【权利要求书】：
1.BaTiO3系半导体陶瓷，其是在BaTiO3中Ga与Nb同时置换Ti位点而得的。
2.BaTiO3系半导体陶瓷，其特征在于，其由BaA(Ti1-α-βGaαNbβ)BO3所示，α/β摩尔比在0.92以上且100以下的范围。
3.权利要求2所述的BaTiO3系半导体陶瓷，其特征在于，A/B摩尔比在0.900~1.060的范围。
4.BaTiO3系半导体陶瓷粉末，其是在BaTiO3中Ga与Nb同时置换Ti位点而得的BaTiO3系半导体陶瓷粉末，其特征在于，最大粒径在1μm以下。
5.BaTiO3系半导体陶瓷粉末，其特征在于，其由BaA(Ti1-α-βGaαNbβ)BO3所示，α/β摩尔比在0.92以上且100以下的范围，最大粒径在1μm以下。
6.权利要求5所述的BaTiO3系半导体陶瓷粉末，其特征在于，A/B摩尔比在0.900以上且1.060以下的范围。
7.层叠型半导体陶瓷电容器，其是具有半导体陶瓷层和内部电极交替层叠而成的结构的部件本体的层叠型半导体陶瓷电容器，其特征在于，上述半导体陶瓷层由权利要求1所述的BaTiO3系半导体陶瓷构成。
8.层叠型半导体陶瓷电容器，其是具有半导体陶瓷层与内部电极5层叠而成的结构的部件本体的层叠型半导体陶瓷电容器，其特征在于，上述半导体陶瓷层由权利要求2所述的BaTiO3系半导体陶瓷构成。
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