[发明专利]显示装置、显示装置的制造方法和电子设备有效
| 申请号： | 201210075857.0 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102693939A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 石井孝英 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了显示装置、显示装置的制造方法和电子设备。该制造显示装置的方法包括：在衬底上形成栅电极；通过光刻技术形成层叠膜。该层叠膜在栅极绝缘膜夹置于中间的状态下设置在栅电极上方并且包括半导体层、源极/漏极电极和/或像素电极、平坦化膜以及像素隔离膜。该制造方法还包括在形成层叠膜之后按照顺序形成功能层和公共电极。该功能层包括有机电场发光层。在形成层叠膜的过程中，在层叠膜的至少一部分中一同对两个以上膜进行图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
一种显示装置的制造方法，包括：在衬底上形成栅电极；通过光刻技术形成层叠膜，所述层叠膜在将栅极绝缘膜夹在中间的状态下设置在所述栅电极上方，并且包括半导体层、源极/漏极电极和/或像素电极、平坦化膜以及像素隔离膜；以及在形成所述层叠膜之后按顺序形成功能层和公共电极，所述功能层包括有机电场发光层，其中，在形成所述层叠膜的过程中，在所述层叠膜的至少一部分中一同对两个或更多的层进行图案化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
