[发明专利]显示装置、显示装置的制造方法和电子设备

说明书

技术领域

本公开涉及具有光刻工艺的显示装置的制造方法和由此制造的显示装置。

背景技术

在诸如有机EL(电致发光)显示装置的平板显示器中，适合于驱动像素的薄膜晶体管(TFT)、互连层和其他组件布置在衬底上，并且包括有机EL层的像素形成在其顶部(例如，日本专利公开No.2001-195008)。在在这种显示装置的制造步骤中，通过基于光刻技术的薄膜形成工艺来将每个层图案化。

发明内容

在基于上述光刻技术的制造过程中，使用了其上已经预先绘制了各个层的图案的光掩模。然而，TFT和电容元件首先形成在衬底上，并且之后涂布有平坦化膜，之后在平坦化膜上形成像素电极和像素隔离膜的图案。因此，不同的光掩模对于每个层的图案化是必要的。此外，在每个图案化步骤，光掩模和其他材料是必要的，并且所形成的层经受涂布、曝光、显影、后烘烤和其他步骤，由此导致更多的膜形成步骤和更高的成本。

已经考虑到上述内容来进行了本公开，并且期望提供能够以低成本和简单工艺制造的显示装置，制造该装置的方法以及具有该装置的电子设备。

根据本公开的实施例的显示装置的制造方法包括在衬底上形成栅电极，并且通过光刻技术形成层叠膜。该层叠膜在栅极绝缘膜夹置于中间的状态下设置在栅电极上方并且包括半导体层、源极/漏极电极和/或像素电极、平坦化膜以及像素隔离膜。制造方法还包括在形成层叠膜之后按照顺序形成功能层和公共电极。功能层包括有机电场发光层。在形成层叠膜的过程中，在层叠膜的至少一部分中一同对两个以上膜进行图案化。

在根据本发明的另一个实施例的显示装置的制造方法中，在衬底上形成栅电极之后，在层叠膜形成步骤中通过光刻技术形成层叠膜。该层叠膜在栅极绝缘膜夹置于其间的状态下设置在栅电极上方并且包括半导体层、源极/漏极电极和/或像素电极、平坦化膜以及像素隔离膜。之后，按照顺序形成功能层和公共电极，由此形成显示装置。功能层包括有机电场发光层。在形成层叠膜的过程中，在层叠膜的至少一部分中一同对两个以上膜进行图案化，由此有助于相比于一次进行一个层的图案化更少地消耗光掩模。此外，该制造方法有助于减小光刻胶和其他材料的消耗并且有助于更少的步骤数目。

根据本公开的另一个实施例的显示装置包括：设置在衬底上的栅电极；在栅极绝缘膜夹置于中间的状态下设置在栅电极上方的层叠膜，层叠膜包括半导体层、源极/漏极电极和/或像素电极、平坦化膜以及像素隔离膜；功能层，其设置在层叠膜的像素隔离膜上并且包括有机电场发光层；以及设置在功能层上的公共电极。开口设置在层叠膜的至少一部分中以穿透两个以上层。

根据本发明的另一个实施例的电子设备包括根据本公开的实施例的显示装置。

根据本公开的另一个实施例的显示装置的制造方法在衬底上形成栅电极之后通过光刻技术形成层叠膜。该层叠膜在栅极绝缘膜夹置于中间的状态下设置在栅电极上方并且包括半导体层、源极/漏极电极和/或像素电极、平坦化膜以及像素隔离膜。之后，该制造方法按照顺序形成功能层和公共电极，由此形成显示装置。功能层包括有机电场发光层。在形成层叠膜的过程中，在层叠膜的至少一部分中一同对两个以上膜进行图案化，由此有助于更少地消耗光掩模、光刻胶和其他材料并且有助于更少的步骤数目。这允许通过低成本和简单的过程制造显示装置。

根据本公开的实施例的显示装置不仅包括设置在衬底上的栅电极，还包括层叠膜。该层叠膜在栅极绝缘膜夹置于中间的状态下设置在栅电极上方并且包括半导体层、源极/漏极电极和/或像素电极、平坦化膜以及像素隔离膜。开口设置在层叠膜的至少一部分中以穿透两个以上层。这有助于更少地消耗光掩模、光刻胶和其他材料并且有助于更少的步骤数目，由此允许通过低成本和简单的过程制造显示装置。

附图说明

图1示出了根据本公开的第一实施例的显示装置的截面结构；

图2A和图2B是按照步骤顺序示出了图1中的TFT的制造方法的图；

图2C和图2D是示出了从图2A和图2B继续的步骤的图；

图2E是示出了从图2C和图2D继续的步骤的图；

图2F是示出了从图2E继续的步骤的图；

图2G是示出了从图2F继续的步骤的图；

图2H是示出了从图2G继续的步骤的图；

图3A和图3B是按照步骤顺序示出了根据比较示例的TFT制造方法的图；

图3C和图3D是示出了从图3A和图3B继续的步骤的图；

图3E是示出了从图3C和图3D继续的步骤的图；