[发明专利]显示装置、显示装置的制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种显示装置的制造方法，包括：

在衬底上形成栅电极；

通过光刻技术形成层叠膜，所述层叠膜在将栅极绝缘膜夹在中间的状态下设置在所述栅电极上方，并且包括半导体层、源极/漏极电极和/或像素电极、平坦化膜以及像素隔离膜；以及

在形成所述层叠膜之后按顺序形成功能层和公共电极，所述功能层包括有机电场发光层，

其中，在形成所述层叠膜的过程中，在所述层叠膜的至少一部分中一同对两个或更多的层进行图案化。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，

其中，在形成所述层叠膜的过程中使用三个光掩模。

3.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法，

其中，形成所述层叠膜包括

从所述栅电极的一侧按顺序形成所述半导体层、第一保护膜、所述平坦化膜、所述源极/漏极电极和所述像素隔离膜，来作为所述层叠膜，

在所述半导体层上形成所述第一保护膜之后，使用第一光掩模对所述第一保护膜和所述半导体层进行图案化，

在形成所述平坦化膜之后，使用至少在与光发射区域对应的第一区域具有第一开口的第二光掩模来对所形成的平坦化膜进行图案化，

使用经图案化的平坦化膜作为掩模来蚀刻所述第一保护膜，以暴露所述第一区域中的所述半导体层，

在蚀刻所述第一保护膜之后，首先按顺序形成所述源极/漏极电极和所述像素隔离膜，并且之后使用至少在所述第一区域中具有开口的第三光掩模对所形成的像素隔离膜进行图案化，以及

通过使用经图案化的像素隔离膜作为掩模来蚀刻所述源极/漏极电极，使得所述第一区域中的所述半导体层暴露。

4.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法，还包括：

在对所述第一保护膜和所述半导体层进行图案化之后并且在形成所述平坦化膜之前，形成第二保护膜，

其中，使用经图案化的平坦化膜作为掩模，来一同蚀刻所述第二保护膜和所述第一保护膜。

5.根据权利要求4所述的显示装置的制造方法，

其中，在形成所述栅电极的过程中，所述栅电极形成在所述衬底上的用于晶体管部分的第二区域中，并且电极层形成在用于电容部分的第三区域中以及用于互连部分的第四区域中，

在形成所述层叠膜的过程中，在使用所述第一光掩模进行图案化时，在所述第四区域中移除所述第一保护膜和所述半导体层，以及

在使用所述平坦化膜作为掩模进行蚀刻时，通过移除所述第一保护膜和所述第二保护膜来暴露所述第二区域和所述第三区域中的所述半导体层，并且同时通过移除所述第二保护膜和所述栅极绝缘膜而暴露所述第四区域中的所述电极层。

6.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法，

其中，在形成所述层叠膜的过程中，氧化物半导体被用作为所述半导体层，并且

在使用所述第三光掩模进行图案化之后，所述第一区域中的所述半导体层受到电阻减小处理。

7.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法，

其中，在形成所述层叠膜的过程中，在对所述像素隔离膜和所述源极/漏极电极进行图案化之后，所述像素隔离膜受到回流。

8.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，

其中，在形成所述层叠膜的过程中使用四个光掩模。

9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，

其中，形成所述层叠膜包括

从所述栅电极的一侧按顺序形成所述半导体层、所述第一保护膜、所述平坦化膜、所述源极/漏极电极和所述像素隔离膜，来作为所述层叠膜，

在所述半导体层上形成所述第一保护膜之后，使用第一光掩模对所述第一保护膜和所述半导体层进行图案化，

在形成所述平坦化膜之后，使用第二光掩模对所形成的平坦化膜进行图案化，

利用经图案化的平坦化膜来蚀刻所述第一保护膜，

在蚀刻所述第一保护膜之后，首先形成所述源极/漏极电极，并且之后使用第三光掩模对所形成的源极/漏极电极进行图案化，以及

形成所述像素隔离膜并且使用至少在用于光发射区域的区域中具有开口的第四光掩模来对所形成的像素隔离膜进行图案化。

10.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，

其中，在形成所述层叠膜的过程中使用五个光掩模。