[发明专利]导电图样薄膜基材及制造方法无效
| 申请号： | 201210071082.X | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103313516A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张有谅;林毅芳;刘松哲 | 申请（专利权）人： | 张有谅;吴首宝;吕朝福;丁建春;何易学;林毅芳;刘松哲 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K3/06;H05K1/02 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵;雒纯丹 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种导电图样薄膜基材及制造方法，提供在不经过中介层的辅助下结合具有图样(pattern)的本体与薄膜层的二异向材质。其中，该方法包含通过产生熔射源对薄膜材质进行加热操作，以使该薄膜材质进入熔射或半熔射的状态进而将该薄膜材质转换成为薄膜分子，并又再透过该熔射源将该薄膜分子喷射至位于本体上具有图样的图样层，而在该图样层上形成具有该薄膜分子的薄膜层，用以使得本体具体化该图样的电气特性。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 图样 薄膜 基材 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电图样薄膜基材制造方法，提供在不经过中介层的辅助下结合具有图样本体与薄膜层的二异向材质，其包含：产生熔射源，以进行加热操作与喷射操作其中一种；对薄膜材质施加该加热操作，以使该薄膜材质进入熔射与半熔射至少其中一种状态而将该薄膜材质转换成为薄膜分子；在本体上根据该图样形成图样层；以及熔射源通过喷射操作将薄膜分子喷射至本体，以在该图样层形成具有薄膜分子的薄膜层。
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