[发明专利]导电图样薄膜基材及制造方法

权利要求书

1.一种导电图样薄膜基材制造方法，提供在不经过中介层的辅助下结合具有图样本体与薄膜层的二异向材质，其包含：

产生熔射源，以进行加热操作与喷射操作其中一种；

对薄膜材质施加该加热操作，以使该薄膜材质进入熔射与半熔射至少其中一种状态而将该薄膜材质转换成为薄膜分子；

在本体上根据该图样形成图样层；以及

熔射源通过喷射操作将薄膜分子喷射至本体，以在该图样层形成具有薄膜分子的薄膜层。

2.如权利要求1所述制造方法，其中在所述图样层与所述薄膜层其中一种是透过蚀刻源以正蚀刻与负蚀刻的其中一种进行蚀刻与整形至少其中一种，且该蚀刻源为激光蚀刻、机械加工、或化学蚀刻至少其中一种。

3.如权利要求1所述制造方法，还包含在本体上形成屏蔽层，并基于图样在该本体以该屏蔽层形成图样层，并选择性地完成该图样层后移除屏蔽层，且在该屏蔽层上可选择性预先地内建该图样。

4.如权利要求3所述制造方法，其中薄膜分子是透过具有图样的屏蔽层喷射至图样层。

5.如权利要求2所述制造方法，其中蚀刻源是在本体蚀刻与整出具有沟渠的图样层。

6.如权利要求2所述制造方法，还包含预先地对本体进行表面处理，以形成非光滑表面而改变该本体与薄膜层之间的被覆性。

7.如权利要求6所述制造方法，其中所述表面处理是通过喷砂加工处理、化学粗化、激光雕刻、机械加工与电晕放电处理其中一种进行。

8.如权利要求1所述制造方法，其中所述熔射源为利用热能型与电能型至少其中一种的熔射法对薄膜材质进行熔射与半熔射。

9.一种导电图样薄膜基材，其包含：

本体，具有第一材质；

图样层，嵌入在该本体中，且该图样层具有可供产生电气特性的图样；以及

薄膜层，具有与该第一材质相异的第二材质，且该薄膜层是通过熔射源作用于该第二材质而直接地形成于图样层，用以使该图样层通过该薄膜层而具有图样的电气特性。

10.如权利要求9所述导电图样薄膜基材，其中所述图样为天线图样、电子电路图样与任意形状图样至少其中一种。

11.如权利要求10所述导电图样薄膜基材，其中图样层以沟渠型态形成在本体上，且该沟渠透过蚀刻源进行蚀刻与整形，又在图样层中的薄膜层厚度等于或小于该沟渠的深度。

12.如权利要求9所述导电图样薄膜基材，其中所述第一材质选自于由丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯-聚碳酸酯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚氨酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、陶瓷、金属、玻璃以及上述任意组合所组成的化合物组中的一种、以及该第二材质选自于锌、铜、铝、金、铁、镍、铬以及上述任意组合所组成金属组中的一种。