[发明专利]导电图样薄膜基材及制造方法无效
申请号: | 201210071082.X | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN103313516A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 张有谅;林毅芳;刘松哲 | 申请(专利权)人: | 张有谅;吴首宝;吕朝福;丁建春;何易学;林毅芳;刘松哲 |
主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00;H05K3/06;H05K1/02 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 刘云贵;雒纯丹 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 图样 薄膜 基材 制造 方法 | ||
技术领域
本发明关于一种导电图样薄膜基材及制造方法,特别是在本体(例如由陶瓷、塑料、高分子塑料、玻璃与金属等材质所组成)上形成导电图样薄膜的基材与方法。
背景技术
传统上,三维电路(3-dimension circuit)应用在电子产品的机壳上,且在该机壳上通过激光与镀覆技术产生如同印刷电路板(Printed Circuit board,PCB)的电路布局,例如以激光直接成型(Laser Direct Structuring,LDS)技术在该机壳上制作天线。
然而,上述激光直接成型的制作程序具有价格昂贵、工序繁复、低成品良率与镀覆工序不环保等缺点,例如该激光直接成型的技术必须使用专用且成本昂贵的专用塑料(例如改性塑料)以进行激光雕刻,且再通过三道电镀工序(镀铜、镀镍与镀金)方才能用以完成该三维电路的该电路布局。
再者,为克服现有技术的不足又发展出使用中介被覆层(或称中介被覆层,例如由金属导电粒子与多分子材料结合成的导电性漆料(或称导电涂料)所形成)来制作如前所述的该天线,而这类天线的制造技术多数仅以导电漆取代在激光直接成型技术中必须使用激光活化该专用塑料的工序。
然而,虽然解决前述必须使用专用塑料的问题,但使用导电漆仍有缺点,例如在工序中仍需加入大量熔剂、填充剂、以及部分的多分子树脂等的添加剂,而该等添加剂有可能与导电金属粒子结合,而产生大量的废气进而影响环保的问题。
故有需要透过本发明所提出导电图样薄膜形成方法及载体,用以解决现有技术的不足。
发明内容
本发明一个目的提供一种导电图样薄膜基材制造方法,可在不经过中介层的辅助下直接地对具有图样(pattern)的本体与薄膜层的二异向材质进行加工处理。
本发明另一目的提供一种导电图样薄膜基材,可在该本体上形成多维的电气图样,用以达到电气讯号的传递与接收、抗电磁干扰(anti-electromagnetic disturbance)、电磁屏蔽(Electromagnetic shielding)与热导热(heat conduction)等功效。
本发明又一目的是根据上述的制造方法与该基材,利用熔射源瞬间将金属(例如锌、铜、银、不锈钢、铝、金、及其它金属等)熔化转换成微小金属粒子(或称小分子),并将该微小金属粒子直接地喷射至具有图样层的本体(例如塑料、塑料薄膜、陶瓷材料、金属、玻璃等材质)上,并在该本体上通过分子堆栈的作用而形成金属的薄膜层,进而使得多维的图样层(例如天线图样、电子电路图样或其它图样)可实现图样所欲达到的电气特性。
为达到上述目的与其它目的,本发明提供一种导电图样薄膜基材制造方法,提供在不经过中介层的辅助下结合具有图样(pattern)本体与薄膜层的二异向材质,其包含步骤产生熔射源以进行加热操作与喷射操作其中一种;接着步骤,对薄膜材质施加该加热操作以使该薄膜材质进入熔射(thermal spray)与半熔射至少其中一种的状态而将该薄膜材质转换成为薄膜分子;再接着步骤,在本体上根据该图样形成图样层(pattern layer);以及,又接着步骤,熔射源通过喷射操作将薄膜分子喷射至本体,以在图样层形成具有薄膜分子的薄膜层。
为达到上述目的与其它目的,本发明提供一种导电图样薄膜基材,其包含本体、图样层与薄膜层。其中,本体具有第一材质;图样层嵌入在本体中,且图样层具有可供产生电气特性的图样;以及,薄膜层具有与第一材质相异的第二材质,且该薄膜层藉由熔射源作用于该第二材质而直接地形成于图样层,用以使该图样层藉由薄膜层而具有图样的电气特性。
与现有技术相比较,本发明导电图样薄膜基材及制造方法可根据使用者所设计的图样(例如天线图样、电子电路图样与任意形状图样)在本体(例如由陶瓷、塑料、高分子塑料、玻璃或金属等材质所组成)形成具有功能性的图样层,并且在该图样层上直接地形成薄膜层(例如锌、铜、铝、金、铁、镍、铬以及上述任意组合等金属),用以使该薄膜层根据该图样层具有该图样的电气特性,而不须如同现有技术一般,需要透过中介层(或称介质层)才能结合二种异向材质。
附图说明
图1:本发明实施例1导电图样薄膜基材制造方法的流程示意图;
图2:本发明实施例2导电图样薄膜基材制造方法的流程示意图;
图3:本发明导电图样薄膜基材的结构示意图;
图4:说明图3中的本体贴片型态的结构示意图;
图5:说明图3中屏蔽层的结构示意图。
其中,图中各编号分别表示为:
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