[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210070748.X | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103022094A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 大田刚志;西胁达也;安原纪夫;新井雅俊;河野孝弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具备第1导电型的半导体层；设置在所述半导体层上的第2导电型的基底区域；设置在所述基底区域上的第2导电型的第1接触区域；栅极电极，隔着栅极绝缘膜，设置在贯通所述第1接触区域和所述基底区域并到达所述半导体层的沟槽内；层间绝缘膜，设置在所述沟槽内、所述栅极电极之上，包含第1导电型的杂质元素；第1导电型的源极区域，设置在所述层间绝缘膜与所述第1接触区域之间，与所述层间绝缘膜的侧面相接，延伸到所述基底区域的内部；与所述半导体层电连接的第1主电极；和第2主电极，设置在所述层间绝缘膜上，连接于所述源极区域和所述第1接触区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，具备：第1导电型的半导体层；设置在所述半导体层上的第2导电型的基底区域；设置在所述基底区域上的第2导电型的第1接触区域；栅极电极，隔着栅极绝缘膜，设置在贯通所述第1接触区域和所述基底区域并到达所述半导体层的沟槽内；层间绝缘膜，设置在所述沟槽内、所述栅极电极之上，包含第1导电型的杂质元素；第1导电型的源极区域，设置在所述层间绝缘膜与所述第1接触区域之间，与所述层间绝缘膜的侧面相接，延伸到所述基底区域的内部；与所述半导体层电连接的第1主电极；和第2主电极，设置在所述层间绝缘膜上，与所述源极区域和所述第1接触区域连接。
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