[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，具备：

第1导电型的半导体层；

设置在所述半导体层上的第2导电型的基底区域；

设置在所述基底区域上的第2导电型的第1接触区域；

栅极电极，隔着栅极绝缘膜，设置在贯通所述第1接触区域和所述基底区域并到达所述半导体层的沟槽内；

层间绝缘膜，设置在所述沟槽内、所述栅极电极之上，包含第1导电型的杂质元素；

第1导电型的源极区域，设置在所述层间绝缘膜与所述第1接触区域之间，与所述层间绝缘膜的侧面相接，延伸到所述基底区域的内部；

与所述半导体层电连接的第1主电极；和

第2主电极，设置在所述层间绝缘膜上，与所述源极区域和所述第1接触区域连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述源极区域中包含的第1导电型的杂质元素与所述层间绝缘膜中包含的杂质元素相同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述源极区域的上端与所述半导体层的背面之间的距离比所述栅极电极的上表面与所述半导体层的背面之间的距离长。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

还具备场板电极，设置在所述沟槽内、所述栅极电极之下，隔着场绝缘膜与所述半导体层对置。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

具有贯通所述第1接触区域和所述基底区域的多个所述沟槽，

相邻的2个所述沟槽间夹持的所述基底区域比与之相接的所述半导体层的一部分、即所述相邻的2个所述沟槽间的所述半导体层的最小宽度宽。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述源极区域的下端与所述半导体层的所述背面之间的距离比所述第1接触区域的下表面与所述半导体层的所述背面之间的距离短。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述层间绝缘膜的上表面、所述源极区域的上端和所述第1接触区域的上表面共面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1接触区域中包含的第2导电型的杂质浓度比所述源极区域中包含的第1导电型的杂质浓度低。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述栅极电极与所述第2主电极电连接。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

还具备与所述第1接触区域连接的第2导电型的第2接触区域，

所述第2接触区域从所述第1接触区域延伸到所述半导体层侧，

所述第2接触区域的下端与所述半导体层的所述背面之间的距离比所述源极区域的下端与所述半导体层的所述背面之间的距离短。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2接触区域的下端与所述半导体层的所述背面之间的距离比所述基底区域的下表面与所述半导体层的所述背面之间的距离短。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2接触区域的下端与所述半导体层的所述背面之间的距离与所述基底区域的下表面与所述半导体层的所述背面之间的距离相同。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2接触区域的下端与所述半导体层的所述背面之间的距离比所述基底区域的下表面与所述半导体层的所述背面之间的距离长。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2接触区域中包含的第2导电型的杂质浓度比所述第1接触区域中包含的第2导电型的杂质浓度低，比所述基底区域中包含的第2导电型的杂质浓度高。