[发明专利]一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法无效
| 申请号： | 201210068017.1 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102583275A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 胡晓琳;王幸;何小武;陈建中;庄乃锋;赵斌;郭飞云 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法。将前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3置于聚四氟乙烯反应釜中，同时加入醇类溶剂，并用氮气排除聚四氟乙烯反应釜中的空气，然后置于140-200℃下恒温1-7天，让前驱物在高压下分解形成GaN纳米晶。本发明能够制备物相纯净的GaN纳米晶，且产率较高。该制备方法具有方法简单、条件温和、成本低、便于大批量制备高质量GaN纳米晶等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 法制 gan 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种醇热法制备的GaN纳米晶，其特征在于：所述的GaN纳米晶是由醇热法分解前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3制备得到的。
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