[发明专利]一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法无效
| 申请号： | 201210068017.1 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102583275A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 胡晓琳;王幸;何小武;陈建中;庄乃锋;赵斌;郭飞云 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 法制 gan 纳米 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种醇热法制备的GaN纳米晶，其特征在于：所述的GaN纳米晶是由醇热法分解前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3制备得到的。
2.一种如权利要求1所述的醇热法制备的GaN纳米晶的制备方法，其特征在于：将前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3置于聚四氟乙烯反应釜中，同时加入醇类溶剂，并用氮气排除聚四氟乙烯反应釜中的空气，然后拧紧，将反应釜置于140-200℃温度下恒温1-7天，冷却至室温后，反应釜内衬底部出现淡黄色沉淀，即所述的GaN纳米晶。
3.根据权利要求2所述的醇热法制备的GaN纳米晶的制备方法，其特征在于：往反应釜中加入前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3的质量与反应釜的体积比为1.2g/100mL，所加入醇类溶剂的体积与聚四氟乙烯内衬的体积比为2：3。
4.根据权利要求2所述的醇热法制备的GaN纳米晶的制备方法，其特征在于：所述的醇类溶剂为乙醇、甲醇、乙二醇、异丙醇中的一种。
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