[发明专利]在MOSFET器件中集成肖特基的方法和结构

摘要

本发明涉及一种在MOSFET器件中集成肖特基二极管的新方法，以及一种将场效应晶体管和肖特基二极管组合在一起的集成结构。其中，形成在衬底组合中的多个沟槽沿衬底组合的纵深方向延伸，并在多个沟槽之间构成台面结构。用导电材料填充每个沟槽，与沟槽侧壁通过电介质材料分开，形成一个栅极区。每个台面结构中的两个第一导电类型的本体区构成势阱，一部分位于衬底组合的纵深方向中。衬底组合的裸露部分将本体区分开。每个本体区中第二导电类型的源极区在每个势阱附近的对边上。每个势阱中的肖特基势垒金属在交界处形成肖特基结，衬底组合的裸露部分裸露的垂直侧壁将本体区分开。

主权项

一种结合一个或多个场效应晶体管和肖特基二极管在轻掺杂半导体衬底组合上的集成结构，其特征在于，包括：a)多个形成在衬底组合中的沟槽，沿衬底组合的整体纵方向延伸，在所述多个沟槽之间构成多个台面结构，每个沟槽都用导电材料填充，并且通过一薄层的电介质材料与沟槽壁分开，形成一个或多个场效应晶体管的栅极区；b)两个导电类型与衬底组合相反的具有第一导电类型的掺杂本体区形成在每个台面结构中，所述的两个掺杂本体区之间被衬底组合的一个裸露部分分开，在每个掺杂本体区构成一个接触沟槽，沿衬底组合的纵深方向部分延伸；c)一对具有第二导电类型的掺杂源极区形成在每个掺杂本体区内，这对掺杂源极区位于每个接触沟槽附近的对边上；以及d)一个含有肖特基势垒金属的肖特基二极管，肖特基势垒金属形成在两个掺杂本体区的每个接触沟槽中，在肖特基势垒金属和将两个掺杂本体区分开的衬底组合裸露部分的裸露在接触沟槽中的垂直侧壁之间的交界处形成一个肖特基结。