[发明专利]多芯片晶圆级封装

摘要

一种多芯片晶圆级封装件包括三个堆叠的半导体管芯。第一半导体管芯内嵌在第一感光材料层中。在第一半导体管芯顶面上堆叠第二半导体管芯，其中，第二半导体管芯面对面连接至第一半导体管芯。第三半导体管芯背对背附接至第二半导体管芯。第二半导体管芯和第三半导体管芯内嵌均在第二感光材料层中。多芯片晶圆级封装件进一步包括形成在第一感光材料层和第二感光材料层中的多个通孔。

主权项

一种多芯片半导体器件，包括：第一半导体管芯，被内嵌在第一感光材料层中；第二半导体管芯，堆叠在所述第一半导体管芯的顶部上，其中，所述第二半导体管芯面对面地连接至所述第一半导体管芯；第二感光材料层，形成在所述第一感光材料层的顶部上，其中，所述第二半导体管芯内嵌在所述第二感光材料层中；多个通孔，形成在所述第一感光材料层和所述第二感光材料层中；以及第三半导体管芯，位于所述第二半导体管芯的上方，其中，通过第一粘合材料层将所述第三半导体管芯的背面附接至所述第二半导体管芯的背面，其中，将所述第三半导体管芯内嵌在所述第二感光材料层中；其中，所述多个通孔包括：第一组通孔，形成在所述第三半导体管芯的正面和所述第二感光材料层的顶部之间；第二组通孔，形成在所述第一半导体管芯的正面和所述第一感光材料层的顶部之间；以及第三组通孔，形成为穿过所述第二感光材料层；其中，凸块下金属化结构形成在所述第二组通孔上方，所述第二组通孔与所述凸块下金属化结构垂直对准，并且第一再分布层形成在所述第二组通孔与所述凸块下金属化结构之间。