[发明专利]多芯片晶圆级封装有效
申请号: | 201210063795.1 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN102931173B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 余俊辉;董志航;邵栋梁;余振华;史达元 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/31 |
代理公司: | 北京德恒律师事务所11306 | 代理人: | 陆鑫,房岭梅 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 晶圆级 封装 | ||
1.一种器件,包括:
第一半导体管芯,被内嵌在第一感光材料层中;
第二半导体管芯,堆叠在所述第一半导体管芯的顶部上,其中,所述第二半导体管芯面对面地连接至所述第一半导体管芯;
第二感光材料层,形成在所述第一感光材料层的顶部上,其中,所述第二半导体管芯内嵌在所述第二感光材料层中;以及
多个通孔,形成在所述第一感光材料层和所述第二感光材料层中。
2.根据权利要求1所述的器件,进一步包括:
第三半导体器件,位于所述第二半导体管芯的上方,其中,通过第一粘合材料层将所述第三半导体管芯的背面附接至所述第二半导体管芯的背面,其中,将所述第三半导体管芯内嵌在所述第二感光材料层中。
3.根据权利要求2所述的器件,其中,所述多个通孔包括:
第一组通孔,形成在所述第三半导体管芯的正面和所述第二感光材料层的顶部之间;
第二组通孔,形成在所述第一半导体管芯的正面和所述第一感光材料层的顶部之间;以及
第三组通孔,形成为穿过所述第二感光材料层。
4.根据权利要求2所述的器件,进一步包括:
基底层,通过第二粘合材料层附接至所述第一半导体管芯的背面;
多个金属凸块,形成在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间;
第一再分布层,形成在所述第一感光材料层的顶部上;
第二再分布层,形成在所述第二感光材料层的顶部上;
底部填充材料层,形成在所述第二半导体管芯和所述第一再分布层之间;以及
多个焊球,形成在所述第二再分布层的顶部上。
5.根据权利要求4所述的器件,其中,所述第一再分布层和所述多个金属凸块被配置成使得:
通过由所述第一再分布层和所述多个金属凸块所形成的连接路径将位于所述第一半导体管芯中的各种有源电路连接至位于所述第二半导体管芯中的各种有源电路。
6.根据权利要求4所述的器件,其中,所述第一再分布层、所述多个金属凸块、所述多个通孔、以及所述第二再分布层被配置成使得:
通过由所述第一再分布层、所述多个金属凸块、所述多个通孔、以及所述第二再分布层所形成的连接路径将位于所述第一半导体管芯中的各种有源电路和位于所述第二半导体管芯中的各种有源电路连接至所述多个焊球。
7.根据权利要求4所述的器件,其中,所述多个通孔和所述第二再分布层被配置成使得:
通过由所述多个通孔和所述第二再分布层所形成的连接路径将位于所述第三半导体管芯中的各种有源电路连接至所述多个焊球。
8.根据权利要求1所述的器件,其中,所述第一半导体管芯的水平长度小于所述第二半导体管芯的水平长度。
9.一种器件,包括:
第一半导体层,包括:
第一半导体管芯,被内嵌在第一感光材料层中;以及
多个通孔,形成在所述第一感光材料层中;
第二半导体层,包括:
第二半导体管芯和第三半导体管芯,通过粘合材料层背对背地堆叠在一起;
第二感光材料层,其中,将所述第二半导体管芯和所述第三半导体管芯内嵌在所述第二感光材料层中;
多个通孔,形成在所述第三半导体管芯的顶部上;
第三半导体层,具有与所述第二半导体层相同的结构;
第一组金属凸块,形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间;以及
第二组金属凸块,形成在所述第二半导体层和所述第三半导体层之间。
10.根据权利要求9所述的器件,进一步包括:第一组焊球,形成在所述第三半导体层的顶部上,其中,将所述第一组焊球用作所述器件的输入/输出焊盘。
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