[发明专利]制作金属硅化物的方法及应用其的半导体结构有效
| 申请号： | 201210061510.0 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN103311107A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 施彦豪;陈盈佐;蔡世昌;陈俊甫 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作金属硅化物的方法及应用其的半导体结构。该制作金属硅化物的方法，包括下列步骤：提供一衬底，衬底具有一第一区域与一第二区域；形成一硅层于衬底上；进行一平坦化工艺，以使硅层具有一平坦表面；移除部分硅层，以在第一区域形成多个第一栅极并在第二区域形成多个第二栅极，该多个第一栅极的高度大于该多个第二栅极的高度，且该多个第一栅极与该多个第二栅极具有水平面高度一致的上表面；形成一介电层于衬底上，介电层覆盖该多个第一栅极与该多个第二栅极，并显露出该多个第一栅极与该多个第二栅极的上表面；形成一金属硅化物于该多个第一栅极与该多个第二栅极的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 金属硅 方法 应用 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种制作金属硅化物的方法，包括：提供一衬底，该衬底具有一第一区域与一第二区域；形成一硅层于该衬底上；进行一平坦化工艺，以使该硅层具有一平坦表面；移除部分该硅层，以在该第一区域形成多个第一栅极并在该第二区域形成多个第二栅极，该多个第一栅极的高度大于该多个第二栅极的高度，且该多个第一栅极与该多个第二栅极具有水平面高度一致的上表面；形成一介电层于该衬底上，该介电层覆盖该多个第一栅极与该多个第二栅极，并显露出该多个第一栅极与该多个第二栅极的上表面；以及形成一金属硅化物于该多个第一栅极与该多个第二栅极的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
