[发明专利]制作金属硅化物的方法及应用其的半导体结构

权利要求书

1.一种制作金属硅化物的方法，包括：

提供一衬底，该衬底具有一第一区域与一第二区域；

形成一硅层于该衬底上；

进行一平坦化工艺，以使该硅层具有一平坦表面；

移除部分该硅层，以在该第一区域形成多个第一栅极并在该第二区域形成多个第二栅极，该多个第一栅极的高度大于该多个第二栅极的高度，且该多个第一栅极与该多个第二栅极具有水平面高度一致的上表面；

形成一介电层于该衬底上，该介电层覆盖该多个第一栅极与该多个第二栅极，并显露出该多个第一栅极与该多个第二栅极的上表面；以及

形成一金属硅化物于该多个第一栅极与该多个第二栅极的上表面。

2.根据权利要求1所述的制作金属硅化物的方法，其中该第一区域与该第二区域分别为存储单元阵列区域以及周边电路区域。

3.根据权利要求1所述的制作金属硅化物的方法，其中该衬底具有一倾斜表面位于一局部内连接区域中，该局部内连接区域位于该第一区域与该第二区域之间，该衬底的该第一区域相对于该第二区域具有一高度差，且该多个第一栅极形成于高度较低的该第一区域上，该多个第二栅极形成于高度较高的该第二区域上。

4.根据权利要求1所述的制作金属硅化物的方法，其中形成该硅层及平坦化该硅层的步骤包括：

形成一多晶硅层于该衬底上；

形成一非晶硅层于该多晶硅层上；以及

平坦化该非晶硅层，以使该非晶硅层切齐该多晶硅层，并与该多晶硅层具有一平坦表面。

5.根据权利要求4所述的制作金属硅化物的方法，其中平坦化该非晶硅层之后，更包括加热该非晶硅层至再结晶温度以形成另一多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的制作金属硅化物的方法，其中形成该介电层之后，更包括平坦化该介电层。

7.根据权利要求1所述的制作金属硅化物的方法，其中形成该金属硅化物的步骤包括：

形成一金属层于该硅层与该介电层上；

进行一热工艺，以使该金属层与该硅层反应而形成该金属硅化物；以及

移除未与该硅层反应的部分该金属层。

8.一种半导体结构，包括：

一衬底，该衬底具有一第一区域以及一第二区域；

一硅层，具有位于该第一区域的多个第一栅极与位于该第二区域的多个第二栅极，其中该多个第一栅极的高度大于该多个第二栅极的高度，且该多个第一栅极与该多个第二栅极具有水平面高度一致的上表面；

一介电层，形成于该衬底上，且该介电层显露出该多个第一栅极与该多个第二栅极的上表面；以及

一金属硅化物，分别形成于该多个第一栅极与该多个第二栅极的上表面。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中该第一区域与该第二区域分别为存储单元阵列区域与周边电路区域，该硅层为至少一多晶硅层或由一多晶硅层与一非晶硅层组合而成，且该多个第一栅极与该多个第二栅极分别为存储器存储单元的栅极以及逻辑单元的栅极。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其中该衬底具有一倾斜表面位于一局部内连接区域中，该局部内连接区域位于该第一区域与该第二区域之间，该硅层更包括一第三栅极，位于该局部内连接区域中，该衬底的该第一区域相对于该第二区域具有一高度差，且该多个第一栅极形成于高度较低的该第一区域上，该多个第二栅极形成于高度较高的该第二区域上。