[发明专利]半导体元件

摘要

实施方式的半导体元件，具备：在第1半导体层之上，沿着与第1半导体层的主面平行的方向，分别周期性地排列了第2半导体层和第3半导体层的周期的排列构造；设置在第3半导体层之上的第4半导体层；选择性地设置在第4半导体层的表面的第5半导体层；控制电极；设置在周期的排列构造的外侧的第1半导体层之上、且杂质浓度低于周期的排列构造所含的杂质浓度的第6半导体层；与第1半导体层电连接的第1主电极；与第4半导体层和第5半导体层连接的第2主电极。从与第1半导体层的主面垂直的方向看，第2半导体层和第3半导体层分别呈点状地配置，周期的排列构造的最外周的周期构造不同于最外周以外的周期的排列构造的周期构造。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，具备：第1导电型的第1半导体层，周期的排列构造，在上述第1半导体层之上，沿着与上述第1半导体层的主面平行的方向，分别周期性地排列了第1导电型的第2半导体层和第2导电型的第3半导体层，第2导电型的第4半导体层，设置在上述第3半导体层之上，第1导电型的第5半导体层，选择性地设置在上述第4半导体层的表面，控制电极，隔着绝缘膜与上述第2半导体层的一部分、上述第4半导体层、及上述第5半导体层的一部分连接，第1导电型的第6半导体层，设置在上述周期的排列构造的外侧的上述第1半导体层之上、且杂质浓度低于上述周期的排列构造中所含的杂质浓度，第1主电极，与上述第1半导体层电连接，及第2主电极，与上述第4半导体层和上述第5半导体层连接；从与上述第1半导体层的主面垂直的方向看，上述第2半导体层和上述第3半导体层分别呈点状地配置，上述周期的排列构造的最外周的周期构造不同于上述最外周以外的上述周期的排列构造的周期构造。