[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，具备：

第1导电型的第1半导体层，

周期的排列构造，在上述第1半导体层之上，沿着与上述第1半导体层的主面平行的方向，分别周期性地排列了第1导电型的第2半导体层和第2导电型的第3半导体层，

第2导电型的第4半导体层，设置在上述第3半导体层之上，

第1导电型的第5半导体层，选择性地设置在上述第4半导体层的表面，

控制电极，隔着绝缘膜与上述第2半导体层的一部分、上述第4半导体层、及上述第5半导体层的一部分连接，

第1导电型的第6半导体层，设置在上述周期的排列构造的外侧的上述第1半导体层之上、且杂质浓度低于上述周期的排列构造中所含的杂质浓度，

第1主电极，与上述第1半导体层电连接，及

第2主电极，与上述第4半导体层和上述第5半导体层连接；

从与上述第1半导体层的主面垂直的方向看，上述第2半导体层和上述第3半导体层分别呈点状地配置，

上述周期的排列构造的最外周的周期构造不同于上述最外周以外的上述周期的排列构造的周期构造。

2.如权利要求1记载的半导体元件，其中，

从与上述第1半导体层的主面垂直的方向看，上述第1半导体层是矩形状，

与上述矩形的对置的一对边平行的方向上的上述周期的排列构造的最外周的上述周期构造，不同于与上述边正交的方向上的上述周期的排列构造的上述最外周的上述周期构造。

3.如权利要求1记载的半导体元件，其中，

上述周期的排列构造的最外周的上述第2半导体层及上述第3半导体层的任意一方的周期，是沿着上述最外周的、上述最外周以外的上述周期的排列构造中的上述第2半导体层及上述第3半导体层的任意另一方的周期的2倍。

4.如权利要求1记载的半导体元件，其中，

上述最外周的上述第2半导体层和与之相邻的上述第3半导体层之间的间隔，窄于上述周期的排列构造中的上述第2半导体层和与之相邻的上述第3半导体层之间的间隔，

上述最外周的上述第3半导体层和与之相邻的上述第2半导体层之间的间隔，窄于上述周期的排列构造中的上述第3半导体层和与之相邻的第2半导体层之间的间隔。

5.如权利要求1记载的半导体元件，其中，

上述最外周的上述第2半导体层及其内侧的上述第2半导体层之间的间隔，窄于上述周期的排列构造中的上述第2半导体层的排列节距，

上述最外周的上述第3半导体层及其内侧的上述第3半导体层之间的间隔，窄于上述周期的排列构造中的上述第3半导体层的排列节距。

6.如权利要求1记载的半导体元件，其中，

在上述周期的排列构造中，上述第2半导体层中所含的第1导电型的杂质量，与上述第3半导体层中所含的第2导电型的杂质量相同，

上述最外周的上述第2半导体层中所含的第1导电型的杂质量，与上述周期的排列构造中的上述第2半导体层中所含的第1导电型的杂质量相同，

上述最外周的上述第3半导体层中所含的第1导电型的杂质量，与上述周期的排列构造中的上述第3半导体层中所含的第1导电型的杂质量相同。

7.如权利要求1记载的半导体元件，其中，

上述最外周的上述第2半导体层的至少一部分，被夹在其内侧的上述第3半导体层之间，

上述最外周的上述第3半导体层的至少一部分，被夹在其内侧的上述第2半导体层之间。

8.如权利要求1记载的半导体元件，其中，

在设置在上述最外周的上述第3半导体层之上的上述第4半导体层的表面，不设置上述第5半导体层。

9.如权利要求1记载的半导体元件，其中，

上述第6半导体层中所含的杂质的浓度，小于等于上述第2半导体层及上述第3半导体层的某一层所含的杂质的浓度的十分之一。

10.如权利要求1记载的半导体元件，其中，

还具备在上述第6半导体层的表面设置的保护环。

11.如权利要求1记载的半导体元件，其中，

还具备与上述第6半导体层相接的电场终止层，

上述第6半导体层位于上述周期的排列构造和上述电场终止层之间。