[发明专利]无镍电镀金制作工艺

摘要

本发明公开了一种无镍电镀金制作工艺，要解决的技术问题是提供良好导电性能、散热性能以及电子信号损耗小的IC封装柔性及刚挠一体化基板。本发明的无镍电镀金制作工艺包括以下步骤，第一次微蚀，喷砂，除油，第二次微蚀，酸浸，镀金。本发明与现有技术相比，用本发明的工艺制作的IC封装基板表面均匀、细腻、金面无缺陷、结合力良好，适用于各种IC封装基板的最后表面处理，有效减少重金属对环境的污染，解决了IC封装基板无镍镀金的问题，主要应用于通讯电子、计算机应用、人工智能系统、航天科技、军工及医疗器械等高端电子领域。

主权项

一种无镍电镀金制作工艺，包括以下步骤：一、第一次微蚀，将IC封装基板放入微蚀槽内，微蚀液的成份是H2SO4和APS，用工业纯净水稀释H2SO4浓度是15‑35ml/L，APS含量40‑80g/L，工作温度20‑25℃，时间10‑30S；二、喷砂，对IC封装基板的双面焊盘进行喷砂处理，使用100‑150nm金刚砂磨料，喷砂压力设为0.5‑2Kg/cm2，速度1‑3m/min；三、除油，将IC封装基板放入除油槽中，采用的碱性除油液体积配比为：C15H13NO250％、(NH4)3N5％、H2O45％，在碱性除油液中加入工业纯净水稀释后的浓度为10‑20ml/L，浸泡时间1‑2min；四、第二次微蚀，将IC封装基板放入微蚀槽中，微蚀液的成份是H2SO4和APS，用工业纯净水稀释H2SO4浓度是15‑35ml/L，APS含量40‑80g/L，工作温度20‑25℃，时间10‑30S；五、酸浸，将IC封装基板放入酸洗槽内，酸浸液的成份是NH2SO3H，在工业纯净水中的含量是0.5‑2g/L，酸浸15‑30S；六、镀金，将IC封装基板放入浓度为5～10g/L的KAu(CN)4镀液中，钛网为阳极，IC封装基板为阴极，镀金的电流密度为1.2‑1.8A/dm2，时间5‑15min。